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    等離子體改性及刻蝕機理是怎樣的?

    發布時間:2022-11-10      點擊次數:886
      等離子體改性及刻蝕結合了電感耦合和電容耦合輝光放電的優點,可在寬密度工藝范圍(109-1013cm-3)實現穩定的等離子體輔助CVD,具有優良的材料處理性能和廣泛的應用范圍,是目前功能強大的等離子體CVD系統。
      
      原創性高密度低頻平板式電感耦合等離子體系統。頻率可調節,從低頻0.5-4MHz范圍內調節;電感天線是平板式,可根據客戶要求改變天線的形狀、大小,從而實現兩種不同的放電模式:電感放電和電容放電,兩種模式下都能實現穩定放電,兩種模式的等離子體特性截然不同,可以實現不同的功能。
     
      

    等離子體改性及刻蝕
     

     

      等離子體改性及刻蝕機理的解釋適用于所有類型的等離子體技術,不局限于RIE。通常,等離子體刻蝕是化學刻蝕,不是物理刻蝕,這意味著固體原子與氣體原子反應形成化學分子,然后從基片表面移除形成刻蝕。因為VDC的存在,通常存在一定的基片濺射,對于大量的刻蝕,物理刻蝕效應很弱可以被忽略。
      
      幾個主要的刻蝕過程為:
      
      1、形成反應粒子;
      
      2、反應粒子到達Wafer表面并被吸附
      
      3、Wafer表面化學吸附反應,形成化學鍵,并形成反應產物;
      
      4、解吸附化學反應產物,并在Wafer表面移除,抽離腔室。
      
      等離子體改性及刻蝕速率,因為電子密度和能量與VDC相關聯,故以上的化學反應過程與速率相對應;離子轟擊可以造成Wafer表面的建設損傷;而離子轟擊的能量與VDC相關,VDC越高轟擊越強;離子轟擊還會對刻蝕形貌有一定的影響等等對于非易揮發性副產物,通過一定的離子轟擊可以將副產物解離形成易揮發性產物,使本身在易在Wafer表面已形成的膜層消失。

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